氣相沉積系統設備規格 ：

電力使用規格： 三相/AC 220V/30A。

使用數位LED真空度計顯示終極及工作真空度。

真空沉淀室容積： Ψ800x1100H mm。

高溫裂解爐 ： 2000w。

真空度： 5x10^-3 Torr 。

排氣速度： 干式1600L/min。

冷卻水需求： 流量 3~7 L/mim 壓力2~4 kg/cm2 溫度 18~30 ℃

氮氣N2需求：壓力 0.5~1 kg/cm2 稀釋流量 0~60 L/min 密封流量 0~20 L/min

占地面積：3000x1500x2300mm。

可選配ＰＬＣ 控制系統及人機操作界面

H850氣相沉積系統設備優點：

提供一真空鍍膜環境，可適用於G1~G3.5 glass基板鍍膜製程使用

腔體內部潔凈度為CLASS 10

腔體內部尺寸:直徑800mmX高度1100mm

採側開式設計便于被鍍物之取、放與進行腔體清潔、維護作業

所有真空管路採用不銹鋼連節，各節口皆可做測漏點，以利維護及保養

操作簡易，可依實務需求變換自動 /手動操作模式

維護簡易，服務迅速